半導體廢水處理知識：含硅廢水處理工藝介紹
近年來，隨著全球石油、煤炭等化石能源的日益枯竭，太陽能越來越重要。清潔新能源，全球太陽能產(chǎn)業(yè)進入快速發(fā)展時期。同時，高純度晶體硅材料也廣泛應用于半導體行業(yè)。隨著全球太陽能產(chǎn)業(yè)和半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，實驗室純水設備對硅片的需求急劇增加。在硅片加工過程中，高達50%~52%的晶體硅以硅粉的形式丟失。含硅廢水中的硅粉非常薄，粒徑在0.1~1mm范圍內(nèi)。大多數(shù)小顆粒懸浮在水中，難以沉積。即使靜置半年以上，含硅廢水仍處于混濁狀態(tài)。
由于含硅廢水中硅粉顆粒較小純水設備，一般過濾處理后的水濁度仍較高，難以達到排放標準，過濾效率低，更換濾布周期短，成本高。
目前，硅片加工企業(yè)的硅廢水處理方法主要是按照含有一般懸浮物的廢水處理方法進行處理，即添加絮凝劑（如聚合氯化鋁、聚合氯化鐵、聚丙烯酰胺等）。是含硅廢水的絮凝沉淀，然后壓濾固液分離。該硅廢水處理方法效率低、成本高、處理效果差。
鑒于現(xiàn)有技術的缺點和不足，有一種含硅廢水的除硅處理工藝。含硅廢水的處理工藝操作簡單。在處理過程中不需要添加化學物質(zhì)，以避免二次污染環(huán)境。除硅處理率高達99%，可適用于大規(guī)模處理。含硅廢水經(jīng)以下方法處理后，出水可穩(wěn)定達標。
（1）將硅原水收集到原水收集池中，用提升泵將硅原水泵電解到電解槽中，然后將電解水放入沉淀池中，自然靜態(tài)分層。
（2）排出電解自然分層處理后的下沉淀物，回收或排出分層處理后的上清液；在電解處理過程中，在電能的作用下，陽極緩慢溶解，產(chǎn)生Al、Mg等離子體，聚合產(chǎn)生多種羥基絡合物、多核羥基絡合物和氫氧化物，顆粒水解聚合產(chǎn)物帶正電荷，比游離水合鋁離子更能吸附污染物雜質(zhì)負電荷表面，使廢水中的膠體雜質(zhì)、懸浮雜質(zhì)凝聚沉淀，通過網(wǎng)絡捕獲去除硅，帶電污染物顆粒在電場游泳，部分電荷被電極中和，促進其穩(wěn)定沉降，然后去除水中的硅，通過電中和去除硅。純水設備在電解過程中，乳白色絮體隨著電解時間的延長而增加，pH值增加，沉淀速度加快，從而實現(xiàn)廢水中硅的有效去除。純水設備，實驗室純水設備, 蘭州純水設備。
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